Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов — В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

Название: Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Автор: Данилов В. С., Раков Ю. Н.
Издательство: Новосибирск: НГТУ
Год: 2014
Страниц: 418
Формат: PDF
Размер: 43,74 Мб
ISBN: 979-5-7782-2406-3
Качество: Отличное

Содержание:

Глава 1. Начальныe сведення
Глава 2. Биполярный транзистор
Глава 3. МОП-транзитор
Глава 4. Полевой СВЧ-транзистор с барьером Шотки на основе арсенида галлия. Аналитическая модель
Глава 5. Гетероструктурные полевые транзисторы
Глава 6. Применение транзисторов в монолитных схемах СВЧ