Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем — В книге на основе современных физических представлений рассмотрены вопросы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Значительное внимание уделено влиянию различных технологических факторов и условий применения на надежность. Подробно рассмотрены дефекты, возникающие в исходных материалах, и механизмы отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изложены методы обеспечения их надежной работы в различной радиоэлектронной аппаратуре. Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся производством полупроводниковых приборов и интегральных микросхем и их применением. Она будет полезна студентам старших курсов соответствующих специальностей.

Название: Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Автор: Чернышев А. А.
Издательство: Радио и связь
Год: 1988
Страниц: 256
Формат: DJVU
Размер: 7,83 Мб
Качество: Отличное

Содержание:

Предисловие
Список сокращений
Список условных обозначений физических величин
Введение
Глава 1. ОСНОВЫ ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ
1.1. Термины и определения в области надежности
1.2. Показатели надежности
1.3. Математическое представление показателей надежности
1.4. Некоторые законы распределения случайных величин, используемые в теории надежности
Глава 2. ВИДЫ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИИ и ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ
2.1. Основные этапы жизненного цикла приборов и их связь с внешними факторами
2.2. Факторы внешних воздействий
2.3. Факторы, связанные с научно-техническим и обслуживающим персоналом
2.4. Конструктивно-технологические факторы
Глава 3. МЕХАНИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ
3.1. Общая характеристика механических воздействий на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в составе аппаратуры
3.2. Реакция конструктивных элементов приборов на механические нагрузки
3.3. Влияние вибрационных воздействий. Резонансные характеристики
3.4. Ударные воздействия и их характеристики
3.5. Механические модели конструктивных элементов приборов и резонансные характеристики
Глава 4. КЛИМАТИЧЕСКИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ И АГРЕССИВНЫЕ СРЕДЫ
4.1. Общая характеристика климатических факторов и климатических зон
4.2. Воздействие пониженных и повышенных температур
4.3. Воздействие влажности
4.4. Воздействие биологической среды и пылевых взвесей в атмосфере
4.5. Воздействие пониженного и повышенного давления
Глава 5. РАДИАЦИОННЫЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ
5.1. Общая характеристика различных видов радиации
5.2. Воздействие проникающей радиации на электрофизические параметры исходных материалов
5.3. Воздействие излучения на параметры полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Глава 6 ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
6.1. Общая характеристика технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
6.2. Обработка исходного полупроводникового материала
6.3. Получение и обработка полупроводниковых пластин
6.4. Очистка поверхности пластин от загрязнений
6.5. Эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев
6.6. Защитные и маскирующие окисные слои на кремнии
6.7. Фотолитография
6.8. Дефекты в приборах, возникающие при формировании активных областей (диффузия, имплантация)
6.9. Металлизация и контакты
6.10. Разделение пластин на кристаллы
6.11. Сборка приборов и герметизация
Глава 7. ВОЗДЕЙСТВИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ И ИСПОЛЬЗОВАНИИ АППАРАТУРЫ
7.1. Входной контроль полупроводниковых приборов и интегральных микросхем при изготовлении аппаратуры
7.2. Подготовка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем к монтажу в аппаратуре и особенности монтажа
7.3. Расположение полупроводниковых приборов и интегральных микро схем в блоках аппаратуры
7.4. Воздействие статического электричества на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы в процессе изготовления, монтажа и эксплуатации в аппаратуре
7.5. Воздействие тепловых и электрических режимов на приборы в составе аппаратуры
Глава 8. ВИДЫ И МЕХАНИЗМЫ ОТКАЗОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
8.1. Классификация отказов
8.2. Понятие механизма отказов
8.3. Механизмы отказов металлизации в результате электромиграции
8.4. Механизмы коррозии и окисления металлизации
8.5. Механизмы отказов контактов
8.6. Некоторые механизмы отказов в межэлементных соединениях на основе поликремния
8.7. Механизмы отказов планарных структур
8.8. Механизм пробоя в тонком окисле и эффект горячих носителей
8.9. Механизмы отказов в результате действия ударных и вибрационных нагрузок
8.10. Некоторые механизмы отказов при радиационных воздействиях
Глава 9. ВИДЫ ИСПЫТАНИИ И СИСТЕМА ИСПЫТАНИИ НА НАДЕЖНОСТЬ
9.1. Основные принципы контроля качества приборов
9.2. Классификация испытаний
9.3. Планирование испытаний на надежность. Оперативная характеристика
9.4. Неразрушающие испытания
9.5. Контроль качества полупроводниковых приборов и интегральных микросхем по шумовым характеристикам
9.6. Контроль полупроводниковых структур по рекомбинационному излучению
9.7. Контроль тепловых параметров с использованием переходных тепловых характеристик
9.8. Ускоренные испытания
9.9. Применение жидких кристаллов для контроля приборов
Глава 10. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ ПРИБОРОВ И ДИАГНОСТИКА
10.1. Понятие о методе распознавания образов
10.2. Прогнозирование надежности по виду вольт-амперных характеристик
10.3. Прогнозирование надежности по m-характеристикам
10.4. Диагностика интегральных микросхем с помощью тестовых структур
Глава 11. ОРГАНИЗАЦИОННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ОБЕСПЕЧЕНИЯ НАДЕЖНОЙ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В АППАРАТУРЕ
11.1. Основные принципы обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре
11.2. Система обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре
11.3. Организация сбора данных по надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
11.4. Организация анализа отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
11.5. Контроль правильности применения полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в аппаратуре
11.6. Некоторые аспекты организации контроля параметров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
11.7. Пути повышения отказоустойчивости интегральных микросхем
Заключение
Список литературы